TPH3206PSB

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

227-TPH3206PSB

Fabricante N.º:

TPH3206PSB

Fabricante:

Renesas Electronics

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Alerta de envío:

Mouser actualmente no vende este producto en su región.

Existencias:: Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	GaN FETs
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	16 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	180 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.65 V
Qg - Carga de puerta:	6.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	81 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Renesas Electronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	4 ns
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de subida:	4.5 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tiempo de retardo de apagado típico:	9.7 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6 ns
Peso de la unidad:	2 g