EVSTDRIVEG600DM

STMicroelectronics
511-EVSTDRIVEG600DM
EVSTDRIVEG600DM

Fabricante:

Descripción:
Herramientas de desarrollo de administración de IC Demonstration board for STDRIVEG600 600V half-bridge high-speed gate driver

Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$82.67 $82.67

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Herramientas de desarrollo de administración de IC
RoHS:  
Marca: STMicroelectronics
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: IT
Voltaje de entrada: 4.75 V to 20 V
Empaquetado: Bulk
Producto: Demonstration Boards
Tipo de producto: Power Management IC Development Tools
Cantidad de empaque de fábrica: 1
Subcategoría: Development Tools
La Herramienta es para la Evaluación de : STDRIVEG600
Tipo: Gate Driver
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Atributos seleccionados: 0

USHTS:
9030890100
TARIC:
8473302000
ECCN:
EAR99

EVSTDRIVEG600DM Demonstration Board

STMicroelectronics EVSTDRIVEG600DM Demonstration Board provides a Half-Bridge topology reference design pairing the STDRIVEG600 Gate Driver with an MDmesh™ DM2 Power MOSFET. The STDRIVEG600 is a single-chip half-bridge gate driver for GaN (Gallium Nitride) eHEMTs (Enhancement-mode High-Electron-Mobility Transistors) or N-channel power MOSFETs. The high side of the STDRIVEG600 is designed to withstand voltages up to 600V and is suitable for designs with bus voltage up to 500V.