SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics
511-SCT018W65G3-4AG
SCT018W65G3-4AG

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

Modelo ECAD:
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En existencias: 505

Existencias:
505 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
22 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$18.50 $18.50
$14.16 $141.60
$10.83 $1,083.00
$9.87 $5,922.00
$8.22 $9,864.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
Through Hole
HiP-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
55 A
27 mOhms
- 18 V, + 18 V
4.2 V
77 nC
- 55 C
+ 200 C
398 W
Enhancement
AEC-Q101
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 29 ns
Empaquetado: Tube
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 13 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tiempo de retardo de apagado típico: 64 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 24.5 ns
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99