SCT018W65G3AG

STMicroelectronics
511-SCT018W65G3AG
SCT018W65G3AG

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A
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17 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 600   Múltiples: 600
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$10.53 $6,318.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
Through Hole
HiP247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
55 A
27 mOhms
-10 V, 22 V
4.2 V
76 nC
- 55 C
+ 200 C
398 W
Enhancement
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 17 ns
Empaquetado: Tube
Producto: SiC MOSFETS
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 8 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 36 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 17 ns
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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