SCT019HU120G3AG

STMicroelectronics
511-SCT019HU120G3AG
SCT019HU120G3AG

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
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En existencias: 12

Existencias:
12
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En pedido:
600
Se espera el 1/02/2027
Plazo de entrega de fábrica:
22
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$22.12 $22.12
$16.52 $165.20
$12.63 $1,263.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 600)
$12.63 $7,578.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
AEC-Q100
Marca: STMicroelectronics
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: JP
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: Transistors
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99