SCT040W65G3-4

STMicroelectronics
511-SCT040W65G3-4
SCT040W65G3-4

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Modelo ECAD:
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En existencias: 537

Existencias:
537 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
22 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$11.55 $11.55
$6.93 $69.30
$6.18 $3,708.00
$5.87 $7,044.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
Through Hole
HiP247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
30 A
63 mOhms
- 10 V, + 22 V
3 V
37.5 nC
- 55 C
+ 200 C
240 W
Enhancement
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: IT
Tiempo de caída: 19 ns
Empaquetado: Tube
Producto: SiC MOSFETS
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 7.4 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tiempo de retardo de apagado típico: 29.6 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 13 ns
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99