Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

SCT070HU120G3AG

Name: STMicroelectronics SCT070HU120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT070HU120G3AG
Price: 14.13 USD
Availability: OutOfStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

511-SCT070HU120G3AG

Fabricante N.º:

SCT070HU120G3AG

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

Complete su diseño

Hoja de datos:

SCT070HU120G3AG Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre STMicroelectronics SCT070HU120G3AG

Disponibilidad

Existencias:: 0

Aún puede comprar este producto que se encuentra pendiente.

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
En pedido:: 1,199

Se espera el 2/07/2026
Plazo de entrega de fábrica:: 22

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$14.13	$14.13
	$10.23	$102.30
	$8.46	$846.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 600)
	$7.90	$4,740.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HU3PAK-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	30 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	87 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.2 V
Qg - Carga de puerta:	37 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	223 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	JP
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Tiempo de caída:	9.9 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	26.6 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	17.6 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	18.7 ns