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SCT1000N170

Name: STMicroelectronics SCT1000N170
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT1000N170
Price: 8.88 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-SCT1000N170

Fabricante N.º:

SCT1000N170

Fabricante:

STMicroelectronics

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	HiP-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.7 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.1 V
Qg - Carga de puerta:	14 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 200 C
Dp - Disipación de potencia :	120 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	IT
País de difusión:	Not Available
País de origen:	IT
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Serie:	SCT1000N170
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel