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SCT30N120H

Name: STMicroelectronics SCT30N120H
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT30N120H
Price: 25.36 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-SCT30N120H

Fabricante N.º:

SCT30N120H

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm

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Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

SCT30N120H Hoja de datos (PDF)

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$25.36	$25.36
	$20.75	$207.50
	$18.35	$1,835.00
	$18.34	$9,170.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	$18.31	$18,310.00
5,000	Presupuesto

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	H2PAK-2
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	45 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	90 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.8 V
Qg - Carga de puerta:	105 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	270 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	28 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	20 ns
Serie:	SCT30N120H
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	45 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	19 ns
Peso de la unidad:	4 g

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SCT30N120H Hoja de datos (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.