SCTW100N65G2AG

STMicroelectronics
511-SCTW100N65G2AG
SCTW100N65G2AG

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H

Ciclo de vida:
Fin de vida útil:
Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
17 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 600   Múltiples: 600
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$29.38 $17,628.00
1,200 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
Through Hole
HiP-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
100 A
69 mOhms
- 10 V, + 22 V
5 V
162 nC
- 55 C
+ 200 C
420 W
Enhancement
AEC-Q101
Marca: STMicroelectronics
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: IT
Empaquetado: Tube
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Serie: SCTW100N65G2AG
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Peso de la unidad: 4.500 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99