SCTWA40N12G24AG

STMicroelectronics
511-SCTWA40N12G24AG
SCTWA40N12G24AG

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package

Ciclo de vida:
Fin de vida útil:
Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.
Modelo ECAD:
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En existencias: 90

Existencias:
90 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
22 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Las cantidades superiores a 90 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$18.79 $18.79
$13.36 $133.60
$10.93 $1,093.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
Through Hole
HiP247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
33 A
105 mOhms
- 18 V, + 18 V
5 V
63 nC
- 55 C
+ 200 C
290 W
Enhancement
AEC-Q101
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 13 ns
Empaquetado: Tube
Producto: SiC MOSFETS
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 5 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tiempo de retardo de apagado típico: 18 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 11 ns
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99