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Fabricante:	Fabricante N.º:	Cant.	Total otorgado:

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SGT120R65AL

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Mouser N.º:

511-SGT120R65AL

Fabricante N.º:

SGT120R65AL

Fabricante:

STMicroelectronics

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	GaN FETs
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerFLAT-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	15 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	120 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 6 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.6 V
Qg - Carga de puerta:	3 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 155 C
Dp - Disipación de potencia :	192 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	9.7 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de subida:	6 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	E-Mode
Tiempo de retardo de apagado típico:	8.9 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	4.1 ns
Peso de la unidad:	76 mg