STGWA100H65DFB2

STMicroelectronics
511-STGWA100H65DFB2
STGWA100H65DFB2

Fabricante:

Descripción:
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 lon

Modelo ECAD:
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En existencias: 1,000

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
14 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$5.20 $5.20
$3.20 $32.00
$2.83 $283.00
$2.82 $1,692.00
$2.80 $3,360.00
5,400 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
145 A
441 W
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marca: STMicroelectronics
Corriente de fuga puerta-emisor: 250 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: IGBTs
Peso de la unidad: 6.100 g
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Atributos seleccionados: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STGWA100H65DFB2 HB2 IGBT

STMicroelectronics STGWA100H65DFB2 HB2 IGBT is an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The HB2 series optimizes conduction with premium VCE(sat) at low current values and reduced switching energy. The STGWA100H65DFB2 HB2 IGBT features a low VCE(sat) of 1.55V (typical) at an IC of 100A.