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STGWA20IH65DF

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Mouser N.º:

511-STGWA20IH65DF

Fabricante N.º:

STGWA20IH65DF

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 lo

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Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.95 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	40 A
Dp - Disipación de potencia :	159 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	IH
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Máx. corriente continua Ic del colector:	20 A
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Corriente de fuga puerta-emisor:	250 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	6.100 g

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STGWA20IH65DF 650V 20A Soft-Switching IGBT

STMicroelectronics STGWA20IH65DF 650V 20A Soft-Switching IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) features a proprietary trench gate field-stop structure and is optimized both in conduction and switching losses for soft commutation. A freewheeling diode with a low drop forward voltage is included. The result is a device specifically designed to maximize efficiency for resonant and soft-switching applications.