STGWA25H120DF2

STMicroelectronics
511-STGWA25H120DF2
STGWA25H120DF2

Fabricante:

Descripción:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
14 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$5.59 $5.59
$3.40 $34.00
$2.75 $275.00
$2.31 $1,386.00
$2.17 $2,604.00
$2.11 $6,330.00
$2.10 $11,340.00
10,200 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
Si
Through Hole
Single
1.2 kV
2.5 V
- 20 V, 20 V
50 A
375 W
- 55 C
+ 175 C
STGWA25H120DF2
Tube
Marca: STMicroelectronics
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Corriente de fuga puerta-emisor: 250 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: IGBTs
Peso de la unidad: 6.100 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99