STGY80H65DFB

Name: STMicroelectronics STGY80H65DFB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGY80H65DFB
Price: 13.14 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STGY80H65DFB

Fabricante N.º:

STGY80H65DFB

Fabricante:

STMicroelectronics

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	Max247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.9 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	120 A
Dp - Disipación de potencia :	469 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	STGY80H65
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Máx. corriente continua Ic del colector:	80 A
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Corriente de fuga puerta-emisor:	250 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	5 g