STPSC406D

STMicroelectronics
511-STPSC406D
STPSC406D

Fabricante:

Descripción:
Diodos Schottky de SiC 600 V Power Schottky Diode
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-220AC-2
Single
4 A
600 V
1.9 V
14 A
50 uA
- 40 C
+ 175 C
STPSC
Tube
Marca: STMicroelectronics
Tipo de producto: SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
Peso de la unidad: 6 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
8541100901
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
85423999
ECCN:
EAR99

600V Power Schottky Silicon Carbide Diode

STMicroelectronics' 600V Power Schottky Silicon Carbide Diodes are ultra high performance power Schottky diodes. They are manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material of these allows the design of a Schottky diode structured with a 600V rating. Due to the Schottky construction of these diodes no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These Power Schottky Silicon Carbide Diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.

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