TSG65N110CE RVG

Taiwan Semiconductor
821-TSG65N110CERVG
TSG65N110CE RVG

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs 650V, 18A, PDFN88, E-mode GaN Transistor

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
30 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 9000   Múltiples: 3000
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
$7.73 $69,570.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Taiwan Semiconductor
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
PDFN-8
N-Channel
1 Channel
650 V
18 A
110 mOhms
- 10 V, + 7 V
2.6 V
4 nC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
Marca: Taiwan Semiconductor
Configuración: Single
Tiempo de caída: 4.8 ns
Empaquetado: Reel
Tipo de producto: GaN FETs
Tiempo de subida: 5 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tecnología: Si
Tiempo de retardo de apagado típico: 2.9 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 1.5 ns
Alias de las piezas n.º: TSG65N110CE
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Models

SPICE Models

TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

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