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CAB006A12GM3

Name: Wolfspeed CAB006A12GM3
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-CAB006A12GM3
Price: 247.32 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

941-CAB006A12GM3

Fabricante N.º:

CAB006A12GM3

Fabricante:

Wolfspeed

Descripción:

Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 6mohm, 1200V, 48 mm, AlN GM3, Half-Bridge, Industrial

Hoja de datos:

CAB006A12GM3 Hoja de datos

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108	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Wolfspeed
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:	N
Producto:	SiC Modules
Tipo:	Half Bridge
Tecnología:	SiC
Vf - Tensión directa:	4.9 V
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, + 15 V
Estilo de montaje:	Screw Mount
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	WolfPACK
Empaquetado:	Tray
Marca:	Wolfspeed
Configuración:	H-Bridge
Id - Corriente de drenaje continua:	200 A
Dp - Disipación de potencia :	10 mW
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	6 mOhms
Cantidad de empaque de fábrica:	18
Subcategoría:	Discrete Semiconductor Modules
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.6 V

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Hoja de datos

CAB006A12GM3 Hoja de datos

PCN

CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Módulos de potencia basados en SiC WolfPACK™

Los módulos de potencia basados en SiC WolfPACK™ de Wolfspeed son sencillos y están diseñados para suministrar energía limpia y confiable para sistemas de conversión de energía. Estos módulos ofrecen un nivel increíblemente bajo de pérdidas en un paquete que se adapta extremadamente bien a la automatización y producción a gran escala. Estos módulos WolfPACK de Wolfspeed se incluyen en configuraciones MOSFET SiC de medio puente y MOSFET SiC de seis núcleos con una variedad de opciones de mΩ. Los dispositivos tienen un tamaño compacto y se pueden utilizar para diseñar un sistema optimizado de mayor densidad de potencia. Pueden ayudar a los diseñadores de sistemas a habilitar una solución más compacta que la que se puede obtener con varios dispositivos discretos o con módulos más grandes y de alta ampacidad.