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NTH4L080N120SC1

Name: onsemi NTH4L080N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L080N120SC1
Price: 12.15 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTH4L080N120SC1

Fabricante N.º:

NTH4L080N120SC1

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V

Hoja de datos:

NTH4L080N120SC1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	29 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	110 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.3 V
Qg - Carga de puerta:	56 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	170 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5.4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	11.3 S
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	4.2 ns
Serie:	NTH4L080N120SC1
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	26.8 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9 ns

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Hoja de datos

NTH4L080N120SC1 Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: República de Corea

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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