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NXH80T120L2Q0S2TG

Name: onsemi NXH80T120L2Q0S2TG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH80T120L2Q0S2T
Price: 67.9 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NXH80T120L2Q0S2T

Fabricante N.º:

NXH80T120L2Q0S2TG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Módulos IGBT PIM Q0 T-TYPE NPC 80A 1200V SOLDER PINS TIM

Hoja de datos:

NXH80T120L2Q0S2TG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Módulos IGBT
RoHS:
Producto:	Q0PACK Modules
Configuración:	Module
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	2.05 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	67 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	300 nA
Dp - Disipación de potencia :	158 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	onsemi
Máximo voltaje puerta-emisor:	20 V
Estilo de montaje:	Press Fit
Tipo de producto:	IGBT Modules
Cantidad de empaque de fábrica:	24
Subcategoría:	IGBTs
Tecnología:	Si

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXH80T120L2Q0S2/P2G Q0PACK Power Modules

onsemi NXH80T120L2Q0S2/P2G Q0PACK Power Modules contain a T−type neutral point clamped (NPC) three-level inverter stage. The fast recovery diodes and integrated field stop trench IGBTs in the onsemi NXH80T120L2Q0S2/P2G provide lower switching losses and conduction losses, enabling designers to achieve high efficiency and superior reliability.