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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade P-channel -60 V, 0.13 Ohm typ., -10 A STripFET F6 Power MOSFET
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6,134En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0Amp Zener SuperMESH
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8,222En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet
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8,520En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 4.4 A DPAK TO-220F
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3,742En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
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4,105En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 700 mOhm typ., 7.5 A MDmesh Power MOSFET in a
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5,733En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
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2,662En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK
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4,865En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40V 5.4mOhm 80A
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3,123En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 48 Amp
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153En existencias
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STMicroelectronics Herramientas de desarrollo del sensor de posición Wi-Fi expansion for the SensorTile Wireless Industrial Node (STWIN) kit
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237En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5
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1,658En existencias
1,000Se espera el 27/07/2026
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh
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2,010En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 24V 120A Zener SuperMESH
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1,813En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET
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1,532En existencias
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STMicroelectronics Circuitos integrados de interruptor analógico Lo-Volt SPDT Switch
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24,245En existencias
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STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode
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5,277En existencias
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STMicroelectronics IGBTs N-Ch 600 Volt 3 Amp
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7,090En existencias
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STMicroelectronics IGBTs 19 A - 600 V very fast IGBT
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2,314En existencias
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STMicroelectronics IGBTs 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode
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5,717En existencias
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STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
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1,678En existencias
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STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
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531En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3.2 mOhm typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 p
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649En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG
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2,757En existencias
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