Single SiC Semiconductores

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Qorvo GaN FETs Redesign of QPD1004
Hoja de datos
40En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 25
: 100

Qorvo GaN FETs Redesign of QPD1011
Hoja de datos
80En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 25
: 100

Qorvo GaN FETs Redesign of QPD1014
Hoja de datos
80En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 25
: 100

onsemi IGBTs FS4 70A HIGH SPEED CO-PACK WITH SIC DIODE 20A GEN1.5
Hoja de datos
720En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 80
: 800

Microchip Technology APT100GT120JU3
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-SOT227
Hoja de datos
23En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
223En existencias
3,600Se espera el 1/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
60En existencias
720Se espera el 10/09/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
227En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
203En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
215En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
240En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
225En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UF3N120007K4S
Hoja de datos
1,115En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UG4SC075005L8S
Hoja de datos
1,075En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200
: 2,000

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2
Hoja de datos
540En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UJ4N075004L8S
Hoja de datos
1,907En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200
: 2,000

Vishay Semiconductors Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Hoja de datos
302En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Hoja de datos
298En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC
Hoja de datos
82En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Rectificadores y diodos Schottky SIC DISCRETE
Hoja de datos
534En existencias
1,200En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Rectificadores y diodos Schottky SIC DISCRETE
Hoja de datos
126En existencias
240Se espera el 8/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UJ4N075005K4S
Hoja de datos
347En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60

Vishay Semiconductors Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Hoja de datos
141En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Hoja de datos
158En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Hoja de datos
136En existencias
Min.: 1
Mult.: 1