Single SiC Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
onsemi Módulos IGBT 11705 GEN-III 1100V Q2PACK
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33En existencias
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Máx.: 5

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_SICMOS
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720En existencias
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onsemi Módulos MOSFET 8M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
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35En existencias
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Infineon Technologies Rectificadores y diodos Schottky SIC DISCRETE
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35En existencias
480En pedido
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STMicroelectronics Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
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1,853En existencias
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: 1,000

STMicroelectronics Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
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2,220En existencias
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Min.: 1
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: 2,500

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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693En existencias
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: 750

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/6MOCOMBO-FETG4TO2
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165En existencias
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onsemi IGBTs 650V 75A FS4 HYBRID IGBT INDUSTRIAL (TO247-4L)
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306En existencias
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onsemi Controladores de puerta con aislamiento galvánico ISOLATED GATE DRIVER IN SOIC16WB PACKAGE
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1,584En existencias
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: 1,000

onsemi Módulos MOSFET 8M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
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26En existencias
Min.: 1
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Máx.: 3

Wolfspeed Módulos de semiconductores discretos SiC HalfBridgeModule 1.2kV 450A
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174En existencias
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No
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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240En existencias
Min.: 1
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onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/11MOCOMBO-FETG4TO
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549En existencias
Min.: 1
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onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1700V/400MOSICJFETG3TO263-7
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1,301En existencias
1,600Se espera el 22/01/2027
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Máx.: 110
: 800

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 650V/25MOSICJFETG3TO2
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126En existencias
Min.: 1
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onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 650V/80MOSICJFETG3TO2
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333En existencias
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Máx.: 20

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/65MOSICJFETG3TO
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395En existencias
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Máx.: 30

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247
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141En existencias
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Microchip Technology Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm SOT-227
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101En existencias
250Se espera el 31/08/2026
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SemiQ Módulos MOSFET SiC 1200V 80mO MOSFET SOT-227
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Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
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Microchip Technology Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm SOT-227
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5En existencias
120Se espera el 7/09/2026
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onsemi Controladores de puerta con aislamiento galvánico ISOLATED GATE DRIVER IN SOIC16WB PACKAGE
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45En existencias
1,000Se espera el 11/06/2027
Min.: 1
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: 1,000

STMicroelectronics Controladores de puerta con aislamiento galvánico Automotive advanced isolated gate driver for IGBTs and SiC MOSFETs
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3,485En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Infineon Technologies Rectificadores y diodos Schottky SIC DISCRETE
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1,680En pedido
Min.: 1
Mult.: 1