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C3M0160120K1

Name: Wolfspeed C3M0160120K1
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0160120K1
Price: 7.81 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

941-C3M0160120K1

Fabricante N.º:

C3M0160120K1

Fabricante:

Wolfspeed

Descripción:

MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 160mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial

Hoja de datos:

C3M0160120K1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Wolfspeed
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4LP
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	17.9 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	280 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, + 15 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.8 V
Qg - Carga de puerta:	32 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	103 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Wolfspeed
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	4.6 S
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	9 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	Silicon Carbide Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	13 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8 ns

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Hoja de datos

C3M0160120K1 Hoja de datos (PDF)

PCN

Códigos de cumplimiento

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

MOSFET de potencia de carburo de silicio 1,200 V

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio de 1,200 V de Wolfspeed marcan el estándar en cuanto a rendimiento, resistencia y facilidad de diseño. Los MOSFET de Wolfspeed cuentan con capacidades de conmutación rápida y de baja pérdida, lo que garantiza una mejora significativa en la eficiencia del sistema, la densidad de potencia y el costo general de BOM en comparación con los MOSFET de silicio e IGBT existentes.

Silicon Carbide 1200V MOSFETs & Diodes

Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) 1200V MOSFETs and Diodes offer higher efficiency in demanding environments and are designed for high-power applications. The 1200V SiC MOSFETs feature stable Rds(on) over-temperature and avalanche ruggedness. The MOSFETs are rugged body diodes that do not require external diodes and are easier to drive as these offer a 15V gate drive. The 1200V SiC MOSFETs improve system-level efficiency, lower switching and conduction losses, and improve system-level power density. The 1200V SiC Schottky diodes feature the merged PiN Schottky (MPS) design technology, which is more robust and reliable than typical Schottky barrier diodes. The diodes offer high surge current capability, high-frequency operation, easy parallel operation, and reduced heat sink requirements. The MOSFETs and diodes are ideal for uninterruptible power supplies (UPS), motor control and drives, switched-mode power supplies (SMPS), electric vehicle charging, and high-voltage DC/DC converters.

MOSFET de potencia de SiC de 1,200 V y bajo perfil TO-247-4

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de 1,200 V y bajo perfil TO-247-4 de Wolfspeed cuentan con conmutación de alta velocidad con capacitancias bajas y alto voltaje de bloqueo con baja resistencia ON. Estos MOSFET de potencia reducen las pérdidas de conmutación y los requisitos de enfriamiento, además de minimizar las oscilaciones en la puerta. Los MOSFET de potencia de SiC de 1,200 V incorporan un diodo intrínseco rápido con bajo nivel de recuperación inversa (Q_rr). Estos MOSFET de potencia aumentan la densidad de potencia y la frecuencia de conmutación del sistema. Los MOSFETs de potencia de SiC de 1200V vienen en paquetes optimizados con pines de fuente de driver separados y están disponibles en un cuerpo de paquete TO-247-4 de perfil bajo. Estos MOSFET de potencia no contienen halógenos y cumplen con las normas RoHS. Las aplicaciones típicas incluyen el control de motores, cargadores de batería de vehículos eléctricos, convertidores DC/DC de alto voltaje, sistemas de almacenamiento de energía (ESS) solar, PSU empresariales y UPS.