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F48MXTR12C2M2H11BPSA1

Name: Infineon F48MXTR12C2M2H11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-F48MXTR12C2M2H11
Price: 218.38 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-F48MXTR12C2M2H11

Fabricante N.º:

F48MXTR12C2M2H11BPSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Módulos MOSFET EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology

Ciclo de vida:

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F48MXTR12C2M2H11BPSA1 Hoja de datos (PDF)

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	$218.38	$218.38
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105	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Press Fit
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	95 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	16.8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.3 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	20 mW
Serie:	EasyPACK C series
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	AT
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	27.4 ns
Altura:	12 mm
If - Corriente directa:	55 A
Longitud:	57.1 mm
Producto:	MOSFET Module
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	23 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	15
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	CoolSiC
Tipo:	MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	52.8 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	47 ns
Vf - Tensión directa:	4.35 V
Ancho:	53 mm

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CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

EasyPACK™ CoolSiC™ Trench MOSFET Modules

Infineon Technologies EasyPACK™ CoolSiC™ Trench MOSFET Modules feature PressFIT contact technology and an integrated Negative Temperature Coefficient (NTC) temperature sensor. These modules operate at a 1200V drain-source voltage, feature a low inductive design, low switching losses, and high current density. The EasyPACK™ modules offer rugged mounting due to integrated mounting clamps and are packaged with a CTI >600. Applications include high-frequency switching devices, DC/DC converters, and DC chargers for EVs. With the Easy 2C Series, Infineon enhances high-power designs using SiC G2 technology and advanced .XT features. The .XT technology provides enhanced ruggedness and extended operating temperatures, while the second-generation SiC MOSFET technology offers improved gate oxide reliability and reduced on-resistance.

1200V CoolSiC™ Modules

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ Modules are Silicon Carbide (SiC) MOSFET modules that offer good levels of efficiency and system flexibility. These modules come with Near Threshold Circuits (NTC) and PressFIT contact technology. The CoolSiC modules feature high current density, best in class switching and conduction losses, and low inductive design. These modules provide high-frequency operation, increased power density, and optimized development cycle time and cost.