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FGD5T120SH

Name: onsemi FGD5T120SH
Brand: onsemi
SKU: 512-FGD5T120SH
Price: 2.52 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

512-FGD5T120SH

Fabricante N.º:

FGD5T120SH

Fabricante:

onsemi

Descripción:

IGBTs 1200V 5A Field Stop Trench IGBT

Hoja de datos:

FGD5T120SH Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$2.52	$2.52
	$1.55	$15.50
	$1.09	$109.00
	$0.884	$442.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$0.884	$2,210.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	2.9 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 25 V, 25 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	10 A
Dp - Disipación de potencia :	69 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	FGD5T120SH
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Máx. corriente continua Ic del colector:	10 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	400 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	260.370 mg

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Hoja de datos

FGD5T120SH Hoja de datos (PDF)

PCN

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: República de Corea

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Field Stop IGBTs

onsemi Field Stop (FS) IGBTs offer optimum performance with low conduction and switching losses. These IGBTs feature high current handling capability, positive temperature coefficient, tight parameter distribution, and a wide safe operating area. The FS IGBTs come with increased breakdown voltage that improves reliability where negative ambient temperatures are present. As the temperature decreases the IGBT and FRD blocking voltage also decreases that makes the devices particularly beneficial for PV solar inverters used in colder climates. onsemi IGBTs provide fast and soft recovery that reduces power dissipation and achieves low turn-on and turn-off losses.

1200V Field Stop Trench IGBTs

onsemi 1200V Field Stop Trench IGBTs feature minimized conduction losses by having a VCE(SAT) of 1.8V, lower than previous fast switching NPT IGBTs. The 1200V field stop trench IGBTs target hard switching industrial applications such as solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), and welders. The 1200V field stop trench IGBT series operates at high switching frequencies, and is 100% tested for clamped inductive switching at current levels of four times the rated current to guarantee a larger safe operating area. onsemi 1200V Field Stop Trench IGBTs are available in TO-247-3, TO-247-4, and DPAK-3 packages, and are offered in 15A, 25A, and 40A ratings.