FS980R08A7F32BHPSA1

Infineon Technologies
726-FS980R08A7F32BHP
FS980R08A7F32BHPSA1

Fabricante:

Descripción:
Módulos MOSFET HybridPACK Drive G2 with Si/SiC Fusion switch: Compact 750V B6-bridge power module optimized for traction inverter applications

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Lo nuevo de este fabricante.
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

En existencias: 3

Existencias:
3 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
39 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$559.74 $559.74
$429.36 $5,152.32

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Módulos MOSFET
RoHS:  
Si, SiC
Screw Mount
750 V
5.15 mOhms
- 10 V, + 23 V
4 V
- 40 C
+ 175 C
HybridPACK
Tray
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Module
Tiempo de caída: 76.8 ns
If - Corriente directa: 600 A
Producto: Drive G2 Module
Tipo de producto: MOSFET Modules
Tiempo de subida: 55.6 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 6
Subcategoría: Discrete and Power Modules
Tipo: Automotive
Tiempo de retardo de apagado típico: 330 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 66.4 ns
Vf - Tensión directa: 2.1 V
Alias de las piezas n.º: FS980R08A7F32B SP006161968
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Clasificaciones de origen
País de origen:
Alemania
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

HybridPACK™ Drive G2 Modules

Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2 Modules are compact power modules designed for hybrid and electric vehicle traction. The Infineon Technologies G2 modules offer scalable performance levels using Si or SiC technologies and different chipsets, maintaining the same module size. Introduced in 2017 with silicon EDT2 technology, it was optimized for efficiency in real-world driving. In 2021, a CoolSiC™ version was introduced, offering higher cell density and better performance. In 2023, the second generation, HybridPACK Drive G2, was launched with EDT3 (Si IGBT) and CoolSiC™ G2 MOSFET technologies, providing ease of use and integration options for sensors, enabling up to 300kW performance within 750V and 1200V classes.