Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

GCMX080A120B2H1P

Name: SemiQ GCMX080A120B2H1P
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX080A120B2H1P
Price: 45.27 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

148-GCMX080A120B2H1P

Fabricante N.º:

GCMX080A120B2H1P

Fabricante:

SemiQ

Descripción:

Módulos MOSFET SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module

Hoja de datos:

GCMX080A120B2H1P Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre SemiQ GCMX080A120B2H1P

En existencias: 35

Existencias:: 35 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$45.27	$45.27
	$38.62	$386.20
	$31.86	$3,186.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 40)
	$38.62	$1,544.80

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Press Fit
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	27 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	77 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.8 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	119 W
Serie:	GCMX
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	SemiQ
Tiempo de caída:	4 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	3 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	40
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Full Bridge
Tiempo de retardo de apagado típico:	18 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

GCMX080A120B2H1P Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Módulos de puente completo MOSFET SiC de 1,200 V GCMX

Los módulos de puente completo MOSFET SiC de 1200 V GCMX de SemiQ ofrecen bajo nivel de pérdidas de conmutación, baja resistencia térmica de unión a carcasa y montaje muy resistente y sencillo. Estos módulos se montan directamente en el disipador térmico (paquete aislado) e incluyen una referencia Kelvin para un funcionamiento estable. Todas las piezas se han probado rigurosamente para resistir voltajes superiores a 1350 V. La característica destacada de estos módulos es el sólido voltaje de fuente de drenado de 1200 V. Los módulos de puente completo GCMX funcionan a una temperatura de unión de 175°C y cumplen con las normas RoHS. Las aplicaciones típicas incluyen inversores fotovoltaicos, cargadores de batería, sistemas de almacenamiento de energía y convertidores CC a CC de alto voltaje.