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HAS175M12BM3

Name: Wolfspeed HAS175M12BM3
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-HAS175M12BM3
Price: 472.62 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

941-HAS175M12BM3

Fabricante N.º:

HAS175M12BM3

Fabricante:

Wolfspeed

Descripción:

Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 175A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment

Ciclo de vida:

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HAS175M12BM3 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Wolfspeed
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Producto:	Half Bridge Modules
Tipo:	Half Bridge
Tecnología:	SiC
Vf - Tensión directa:	1.8 V
Vr - Tensión inversa:	800 V
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, + 19 V
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	Module
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Marca:	Wolfspeed
Configuración:	Half Bridge
Id - Corriente de drenaje continua:	228 mA
Dp - Disipación de potencia :	789 W
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	10.4 mOhms
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V

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Hoja de datos

HAS175M12BM3 Hoja de datos (PDF)

PCN

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HAS Harsh Environment SiC Half-Bridge Modules

Wolfspeed HAS Harsh Environment Silicon Carbide (SiC) Half-Bridge Modules provide the system benefits of SiC while maintaining the robust, industry-standard 62mm module package. The internal design, due to the low-inductance layout, enables high-speed SiC switching benefits and increased system efficiency. The Wolfspeed HAS modules are a perfect fit for high-frequency industrial applications such as induction heating, rail/traction, motor drives, and EV charging infrastructures.

62mm Silicon Carbide Half-Bridge Modules

Wolfspeed 1200V and 1700V 62mm Silicon Carbide (SiC) Half-Bridge Modules combine the system benefits of SiC with a robust and low-inductance layout. The half-bridge modules feature increased system efficiency due to SiC's low switching and conduction losses. These power modules include a low-inductance internal layout, enabling maximum voltage utilization with minimal overshoot and ringing. The half-bridge modules are chosen from aluminum nitride ceramic for reduced thermal resistance with robust CTE matching and silicon nitride ceramic for sustained maximum junction temperature operation.