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MASTERGAN4

Name: STMicroelectronics MASTERGAN4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-MASTERGAN4
Price: 6.62 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-MASTERGAN4

Fabricante N.º:

MASTERGAN4

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Controladores de puertas High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

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MASTERGAN4 Hoja de datos (PDF)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$6.62	$6.62
	$5.07	$50.70
	$4.69	$117.25
	$4.26	$426.00
	$4.06	$1,015.00
	$3.94	$1,970.00
	$3.89	$3,890.00
	$3.84	$9,600.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	Half-Bridge Drivers
Tipo:	Half-Bridge
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-31
Número de controladores:	2 Driver
Número de salidas:	3 Output
Corriente de salida:	6.5 A
Voltaje de alimentación - Mín.:	3.3 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	15 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	MASTERGAN
Empaquetado:	Tray
Marca:	STMicroelectronics
Características:	600 V System-in-Package Integrating Half-Bridge Gate Driver
Voltaje de entrada - Máx.:	15 V
Voltaje de entrada - Mín.:	3.3 V
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	Gate Drivers
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	225 mOhms
Cantidad de empaque de fábrica:	1560
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Peso de la unidad:	150 mg

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PCN

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Taiwán
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an R_DS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.