MR4A08BCMA35

Everspin Technologies
936-MR4A08BCMA35
MR4A08BCMA35

Fabricante:

Descripción:
Memoria RAM magnetorresistiva 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva

Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

En existencias: 471

Existencias:
471 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
27 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$64.07 $64.07
$59.18 $591.80
$57.25 $1,431.25
$55.81 $2,790.50
$55.41 $5,541.00
240 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Everspin Technologies
Categoría de producto: Memoria RAM magnetorresistiva
RoHS:  
BGA-48
Parallel
16 Mbit
2 M x 8
8 bit
35 ns
3 V
3.6 V
60 mA, 152 mA
- 40 C
+ 85 C
MR4A08B
Tray
Marca: Everspin Technologies
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Dp - Disipación de potencia : 600 mW
Tipo de producto: MRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 240
Subcategoría: Memory & Data Storage
Nombre comercial: Parallel I/O (x8)
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
JPHTS:
854232031
KRHTS:
8542321040
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.

MR4A08B & MR4A16B 16Mb Parallel MRAMs

Everspin Technologies MR4A08B and MR4A16B 16Mb Parallel MRAM devices provide SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The Everspin Technologies MR4A08B is a 16,777,216-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) device organized as 2,097,152 words of 8 bits.