MWT-PH11F

CML Micro
938-MWT-PH11F
MWT-PH11F

Fabricante:

Descripción:
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

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100 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
CML Micro
Categoría de producto: Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
GaAs
440 mA to 800 mA
8 V
12 GHz
9 dB
32 dBm
+ 150 C
Die
Bulk
Marca: CML Micro
Tipo de producto: RF MOSFET Transistors
Serie: MWT
Cantidad de empaque de fábrica: 10
Subcategoría: MOSFETs
Nombre comercial: MWT-PH11F
Tipo: RF Power MOSFET
Peso de la unidad: 0.140 mg
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Códigos de cumplimiento
USHTS:
8541210040
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

GaAs FET & pHEMT Devices

MicroWave Technology GaAs FET and pHEMT Devices are ultra-linear, high-dynamic range, and low-phase noise devices that include commercial, industrial, military, and space-grade variants. The GaAs process employed by MicroWave Technology is approved for space applications with proven reliability. These devices come with standard and custom device specifications with high-rel and space-rel screening options availability. The GaAs FET and pHEMT devices are RoHS (lead-free) compliant and offer 100% wafer bond pull, die shear, wafer DC burn-in, and bake tests in evaluation per MIL-PRF-38534. These devices are typically suitable for oscillators, narrow-band, wideband applications, space, and military applications.

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