SCS210AGC17

ROHM Semiconductor
755-SCS210AGC17
SCS210AGC17

Fabricante:

Descripción:
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 10A, 2nd Gen

Ciclo de vida:
NRND:
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Hoja de datos:
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$3.19 $319.00
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-220ACG-2
Single
10 A
650 V
1.55 V
38 A
200 uA
+ 175 C
Tube
Marca: ROHM Semiconductor
Dp - Disipación de potencia : 78 W
Tipo de producto: SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa: 650 V
Alias de las piezas n.º: SCS210AG
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Specification Sheets

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Códigos de cumplimiento
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

TO-220ACG SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor TO-220ACG Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) feature a reverse voltage range of 650V to 1200V and a continuous reverse current range of 1.2µA to 20.0µA. SiC technology enables these devices to maintain a low capacitive charge (QC), reducing switching loss while enabling high-speed switching operation. In addition, unlike Si-based fast-recovery diodes, where the reverse recovery time increases along with temperature, SiC devices maintain constant characteristics, resulting in better performance.

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