Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

SCS210KGC17

Name: ROHM Semiconductor SCS210KGC17
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCS210KGC17
Price: 10.15 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

755-SCS210KGC17

Fabricante N.º:

SCS210KGC17

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 10A RDL SIC SKY

Hoja de datos:

SCS210KGC17 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre ROHM Semiconductor SCS210KGC17

En existencias: 547

Existencias:: 547 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 21 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$10.15	$10.15
	$5.60	$56.00
	$5.17	$517.00
	$4.91	$4,910.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220ACG-2
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	10 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión directa:	1.6 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	42 A
Ir - Corriente inversa:	200 uA
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	ROHM Semiconductor
Dp - Disipación de potencia :	150 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV
Alias de las piezas n.º:	SCS210KG

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

SCS210KGC17 Hoja de datos (PDF)

Specification Sheets

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

TO-220ACG SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor TO-220ACG Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) feature a reverse voltage range of 650V to 1200V and a continuous reverse current range of 1.2µA to 20.0µA. SiC technology enables these devices to maintain a low capacitive charge (Q_C), reducing switching loss while enabling high-speed switching operation. In addition, unlike Si-based fast-recovery diodes, where the reverse recovery time increases along with temperature, SiC devices maintain constant characteristics, resulting in better performance.