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ST9045C

Name: STMicroelectronics ST9045C
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-ST9045C
Price: 88.74 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-ST9045C

Fabricante N.º:

ST9045C

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz

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	$88.74	$88.74
	$73.33	$733.30
	$71.19	$7,119.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tecnología:	Si
Id - Corriente de drenaje continua:	9 A
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	90 V
Frecuencia de trabajo:	1.5 GHz
Temperatura de trabajo máxima:	+ 200 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	M243-3
Empaquetado:	Bulk
Marca:	STMicroelectronics
Número de canales:	1 Channel
Dp - Disipación de potencia :	130 W
Tipo de producto:	RF MOSFET Transistors
Serie:	ST9045C
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	+ 3 V

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Hoja de datos

ST9045C Hoja de datos (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-7-23 (PDF)

Códigos de cumplimiento

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Marruecos
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

LET RF Power Transistors

STMicroelectronics LET RF Power Transistors are a common source N-Channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. These transistors are based on the new advanced STH5P LDMOS technology and are targeted for operation up to 2.0GHz. STMicroelectronics LET RF Power Transistors are specifically designed for 28V (cellular base stations) and 32/36V (avionics) applications. These devices have a significant improvement in terms of RF performance (+3dB gain, +15% efficiency), ruggedness, and reliability makes this new product line ideal in applications such as private mobile radio, government communications, avionics systems, and L-band satellite uplink equipment.