STGP30M65DF2

STMicroelectronics
511-STGP30M65DF2
STGP30M65DF2

Fabricante:

Descripción:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

Modelo ECAD:
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En existencias: 980

Existencias:
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15 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$3.18 $3.18
$1.44 $14.40
$1.32 $132.00
$1.16 $580.00
$1.07 $1,070.00
$1.00 $2,000.00
$0.99 $4,950.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
Si
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
60 A
258 W
- 55 C
+ 175 C
STGP30M65DF2
Tube
Marca: STMicroelectronics
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: IGBTs
Peso de la unidad: 2 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.