Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

UF3SC065030B7S

Name: onsemi UF3SC065030B7S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3SC065030B7S
Price: 24.86 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

431-UF3SC065030B7S

Fabricante N.º:

UF3SC065030B7S

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-7

Hoja de datos:

UF3SC065030B7S Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi UF3SC065030B7S

En existencias: 795

Existencias:: 795 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 25 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Las cantidades superiores a 795 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$24.86	$24.86
	$17.96	$179.60
	$16.74	$1,674.00
	$16.25	$8,125.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	$15.63	$12,504.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	62 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	27 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	6 V
Qg - Carga de puerta:	43 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	214 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SiC FET
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	11 ns, 9 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC FETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	26 ns, 28 ns
Serie:	UF3SC
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo:	SiC FET
Tiempo de retardo de apagado típico:	46 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	23 ns
Peso de la unidad:	4.675 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

UF3SC065030B7S Hoja de datos

PCN

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: Estados Unidos

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

UF3SC High-Performance SiC FETs in D2-PAK

onsemi UF3SC High-Performance SiC FETs in D2-PAK-7L (7-lead Kelvin package) are based on a unique 'cascode' circuit configuration and feature excellent reverse recovery. This circuit configuration includes a normally-on SiC JFET to be co-packaged with Si MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. The UF3SC FETs feature standard gate-drive characteristics that allow true “drop-in replacement” to Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs, or Si super-junction devices. These high-performance SiC FETs operate at 175°C maximum temperature, 43nC low gate charge, and 5V typical threshold voltage. Typical applications include telecom and server power, motor drives, induction heating, and industrial power supplies.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

UF3SC 650V and 1200V High-Performance SiC FETs

onsemi UF3SC 650V and 1200V High-Performance SiC FETs are silicon carbide devices with low R_DS(on) of 7mΩ to 45mΩ built for fast switching speeds and lower switching losses. These devices are based on a unique cascode circuit configuration and exhibit an ultra-low gate charge. The cascode configuration employs a normally-on SiC JFET co-packaged with a Silicon MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. The UF3SC FETs feature standard gate-drive characteristics that allow a true "drop-in replacement" to Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs, or Si super-junction devices. These SiC FETs include low intrinsic capacitance and excellent reverse recovery. onsemi UF3SC FETs operate at -55°C to +175°C temperature range and a -20V to +20V gate-source voltage range. These SiC FETs are ideal for electric-vehicle (EV) charging, photovoltaic (PV) inverters, motor drives, switch-mode power supplies, power factor correction (PFC) modules, and induction heating. The onsemi UF3SC SiC FETs are available in TO-247-3L and TO-247-4L package options for faster switching and clean gate waveforms.