RGT20NL65GTL

ROHM Semiconductor
755-RGT20NL65GTL
RGT20NL65GTL

Fabricante:

Descripción:
IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 10A, LPDL, Field Stop Trench IGBT

Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
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En existencias: 1,000

Existencias:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$3.00 $3.00
$1.95 $19.50
$1.35 $135.00
$1.12 $560.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
$1.00 $1,000.00
2,000 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-263-3
SMD/SMT
Single
650 V
2.1 V
30 V
20 A
53 W
- 40 C
+ 175 C
Reel
Cut Tape
Marca: ROHM Semiconductor
Corriente de fuga puerta-emisor: 200 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: IGBTs
Alias de las piezas n.º: RGT20NL65
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Atributos seleccionados: 0

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USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Field Stop Trench IGBTs

ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.

RGT20NL65 Field Stop Trench IGBT

ROHM Semiconductor RGT20NL65 Field Stop Trench IGBT features low collector-emitter saturation voltage, ideal for general inverter, UPS, power conditioner, and welding applications. The ROHM RGT20NL65 Field Stop Trench IGBT offers a short circuit withstand time of 5μs. Additionally, the device is specified to ±30V gate - emitter voltage and a 20A @ 25°C collector current.