CA3509M4 L-to-S Band Low Noise Amplifier ICs

CEL CA3509M4 L-to-S Band Amplifier ICs offer low noise and high gain in a small flat-lead 4-pin thin-type super mini mold package. The CA3509M4 ICs feature an on-chip bias supply circuit and an on-chip ESD protection diode. The device is ideal for global navigation satellite systems (GNSS), satellite radio antennas, and microwave communications.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Frecuencia de trabajo
Voltaje de alimentación operativo
Corriente de suministro operativa
Ganancia
NF - Figura de ruido
Tipo
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Tecnología
P1dB: punto de compresión
OIP3: punto de intersección de tercer orden
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
CEL Amplificador de RF LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB
Hoja de datos
3,714En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

1.575 GHz 3 V 15 mA 17 dB 0.4 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT SMD-4 Si 12 dBm 4.5 dBm - 40 C + 85 C CA35 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL Amplificador de RF LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB
Hoja de datos
199En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

1.575 GHz 3 V 15 mA 17 dB 0.4 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT SMD-4 Si 12 dBm 4.5 dBm - 40 C + 85 C CA35 Bulk