QPD1013SR

Qorvo
772-QPD1013SR
QPD1013SR

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 100   Múltiples: 100
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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 100)
$155.95 $15,595.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
DFN-6
N-Channel
1.7 A
- 40 C
+ 85 C
67 W
Marca: Qorvo
Configuración: Single Triple Drain
Kit de desarrollo: QPD1013EVB01
Ganancia: 21.8 dB
Voltaje máximo drenaje-puerta: 65 V
Frecuencia de trabajo máxima: 2.7 GHz
Frecuencia de trabajo mínima: 1.2 GHz
Sensibles a la humedad: Yes
Potencia de salida: 178 W
Empaquetado: Reel
Tipo de producto: GaN FETs
Serie: QPD1013
Cantidad de empaque de fábrica: 100
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: HEMT
Alias de las piezas n.º: QPD1013
Peso de la unidad: 7.792 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8517620090
USHTS:
8541290055
TARIC:
8517620000
ECCN:
EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

QPD1013 GaN RF Transistor

Qorvo QPD1013 GaN RF Transistor is a high-power, wide-bandwidth High Electron Mobility Transistor (HEMT) which operates from DC to 2.7GHz. This single-stage unmatched power transistor is a 150W discrete GaN on SiC device. The QPD1013 RF transistor features an over-molded plastic package and is suitable for numerous applications such as military radar, land mobile, and military radio communications.

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