Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SQ Automotive Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified and produced using a special process design that is optimized for use in the automotive industry. These SQ MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. The SQ MOSFETs are available in various packages for design flexibility. Packages include the TO-252, TO-262, TO-263, PowerPAK® SO-8, PowerPAK 8x8L, PowerPAK SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK, and PowerPAK 1212-8W, as well as several space-saving, small-outline options. A full range of polarity options is also available, including N-channel and P-channel co-packages. Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are offered in various polarity options, including N-channel and P-channel co-packages.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQ7414CENW-T1_JE3
Vishay / Siliconix
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SQ7414CENW-T1_JE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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SMD/SMT

PowerPAK 1212-8

N-Channel

1 Channel

60 V

18 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

62.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1470AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ1470AEH-T1_GE3

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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified

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$0.348

$0.267

Envase tipo carrete

$0.207

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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

1 Channel

30 V

1.7 A

45 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

5.2 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1912AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ1912AEEH-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

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$0.327

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SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

800 mA

200 mOhms

- 12 V, 12 V

450 mV

1.25 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified

SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ1912EH-T1_GE3

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SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

800 mA

200 mOhms, 200 mOhms

- 12 V, 12 V

450 mV

1.15 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363

SQ1922AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ1922AEEH-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363

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$0.453

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SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

850 mA

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- 12 V, 12 V

1.5 V

1.2 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQ3419AEEV-T1_BE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

40 V

6.9 A

61 mOhms

- 12 V, 12 V

2.5 V

8.4 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6

SQ3989EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ3989EV-T1_GE3

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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

2 Channel

30 V

2.5 A

140 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

11.1 nC

- 55 C

+ 175 C

1.67 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4153EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ4153EY-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

12 V

25 A

5.1 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

101 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8A 4.4W AEC-Q101 Qualified

SQ4920EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ4920EY-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8A 4.4W AEC-Q101 Qualified

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

8 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

4.4 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

SQ4961EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ4961EY-T1_GE3

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78-SQ4961EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

60 V

4.4 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified

SQ1431EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ1431EH-T1_GE3

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78-SQ1431EH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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$0.537

$0.348

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SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

1 Channel

30 V

3 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

6.5 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQ2303ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ2303ES-T1_GE3

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78-SQ2303ES-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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$0.493

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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

2.5 A

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- 10 V, 10 V

2.5 V

4.5 nC

- 55 C

+ 175 C

1.9 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30V

SQ4431EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: $1.95
38,837En existencias

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SQ4431EY-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4431EY-T1_BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30V

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Envase tipo carrete

$0.521

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

10.8 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified

SQ1421EDH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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298,591En existencias

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SQ1421EDH-T1_GE3

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78-SQ1421EDH-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified

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$0.81

$0.504

$0.327

$0.25

Envase tipo carrete

$0.224

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

1 Channel

60 V

1.6 A

230 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

5.4 nC

- 55 C

+ 100 C

2.7 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1563AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: $0.41
311,003En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1563AEH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1563AEH-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

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311,003En existencias

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$0.41

$0.252

$0.202

$0.192

$0.184

Envase tipo carrete

$0.174

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

850 mA

150 mOhms, 500 mOhms

- 8 V, 8 V

450 mV, 1.5 V

930 pC, 1 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 12V (D-S)

SQ2315ES-T1_BE3
Vishay / Siliconix
1: $0.86
374,202En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ2315ES-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ2315ES-T1_BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 12V (D-S)

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374,202En existencias

Cinta cortada

$0.86

$0.524

$0.348

$0.267

Envase tipo carrete

$0.207

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

12 V

5 A

50 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30V (D-S)

SQ2348ES-T1_BE3
Vishay / Siliconix
1: $1.26
169,086En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ2348ES-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ2348ES-T1_BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30V (D-S)

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$1.26

$0.896

$0.558

$0.385

Envase tipo carrete

$0.289

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

8 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.95 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150V SO-8

SQ4080EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $2.15
24,125En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4080EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4080EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150V SO-8

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24,125En existencias

Cinta cortada

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$0.744

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$0.673

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

150 V

18 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 10.8A 6W AEC-Q101 Qualified

SQ4431EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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53,625En existencias

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SQ4431EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4431EY-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 10.8A 6W AEC-Q101 Qualified

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

10.8 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

6 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1539EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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145,289En existencias

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SQ1539EH-T1_GE3

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78-SQ1539EH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

850 mA

210 mOhms, 788 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V, 2.6 V

1.4 nC, 1.6 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3985EV-T1_GE3
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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

2 Channel

20 V

3.9 A

130 mOhms

- 8 V, 8 V

1.5 V

3.1 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQ4425EY-T1_GE3
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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

18 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

6.8 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQ4949EY-T1_GE3
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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

30 V

7.5 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQ1922EEH-T1_GE3
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SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel

2 Channel

20 V

840 mA

350 mOhms

- 12 V, 12 V

1 V

700 pC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQ4940CEY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

2 Channel

40 V

8 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

11.2 nC

- 55 C

+ 175 C

4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

SQ Automotive Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

440 mA
780 mA
800 mA
840 mA
850 mA
1.6 A
1.7 A
2 A
2.2 A
2.3 A
2.5 A
2.5 A, 3.57 A
2.8 A
3 A
3.2 A
3.9 A
4.1 A
4.3 A
4.4 A
4.6 A

3.1 mOhms
3.6 mOhms
3.8 mOhms
5.1 mOhms
6.3 mOhms
7 mOhms
9 mOhms
10 mOhms
12.3 mOhms
13 mOhms
13.5 mOhms
14 mOhms
16.5 mOhms
20 mOhms, 20 mOhms
21 mOhms
21 mOhms, 56 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
24 mOhms
25 mOhms

700 pC
930 pC, 1 nC
1.15 nC
1.2 nC
1.25 nC
1.4 nC, 1.6 nC
2.3 nC
2.5 nC
2.5 nC, 3.5 nC
3.1 nC
3.4 nC
3.5 nC
3.6 nC
4.1 nC
4.5 nC
4.95 nC
5 nC
5.2 nC
5.4 nC
5.5 nC

430 mW
1.5 W
1.67 W
1.9 W
2 W
2.5 W
2.7 W
3 W
3.3 W
3.6 W
3.75 W
3.9 W
4 W
4.4 W
5 W
6 W
6.8 W
7 W
7.1 W
7.14 W