MOSFETs de SiC – Mouser Guatemala

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CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.

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Resultados: 30

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R650M1XTMA1
Infineon Technologies
1: $5.84
1,931En existencias

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IMBF170R650M1XTMA1

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726-IMBF170R650M1XTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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$5.84

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$2.78

$2.65

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$2.51

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

7.4 A

650 mOhms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

8 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R045M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: $13.19
641En existencias

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IMBG120R045M1HXTMA1

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726-IMBG120R045M1HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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641En existencias

Cinta cortada

$13.19

$9.42

$8.07

$7.63

Envase tipo carrete

$7.17

MouseReel Disponible

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: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

47 A

45 mOhms

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5.1 V

46 nC

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+ 175 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R060M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: $10.04
329En existencias

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726-IMBG120R060M1HXT

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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$10.04

$6.59

$5.33

Envase tipo carrete

$5.00

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

83 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

181 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package

IMZ120R350M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $5.94
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package

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370En existencias

$5.94

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$2.99

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Through Hole

TO-247-4

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5.7 V

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60 W

Enhancement

CoolSiC

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IMZA65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $6.10
437En existencias
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726-IMZA65R107M1HXKS

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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$3.49

$3.44

$3.20

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TO-247-4

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20 A

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75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $7.96
434En existencias
NRND

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IMW65R072M1HXKSA1

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726-IMW65R072M1HXKSA

NRND

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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$7.96

$4.77

$4.01

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TO-247-3

N-Channel

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650 V

26 A

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- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

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96 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R450M1XTMA1
Infineon Technologies
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IMBF170R450M1XTMA1

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726-IMBF170R450M1XTM

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$7.26

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

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9.8 A

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- 55 C

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Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R030M1HXTMA1
Infineon Technologies
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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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$9.54

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$8.96

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TO-263-7

N-Channel

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1.2 kV

56 A

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5.1 V

63 nC

- 55 C

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300 W

Enhancement

CoolSiC

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IMBG120R090M1HXTMA1
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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

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1.2 kV

26 A

125 mOhms

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5.1 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R140M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: $7.44
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IMBG120R140M1HXTMA1

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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$7.44

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

18 A

189 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

13.4 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R350M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: $5.71
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IMBG120R350M1HXTMA1

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726-IMBG120R350M1HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

1,377En existencias

Cinta cortada

$5.71

$3.81

$2.95

$2.62

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$2.32

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

468 mOhms

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5.1 V

5.9 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $16.93
228En existencias
720En pedido

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IMZ120R030M1HXKSA1

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720En pedido

$16.93

$10.43

$9.62

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

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5.7 V

63 nC

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+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $9.03
369En existencias

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IMZ120R140M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R140M1HXKS

Infineon Technologies

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369En existencias

$9.03

$5.63

$5.06

$3.98

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Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

19 A

182 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

94 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $14.47
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NRND

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IMW65R027M1HXKSA1

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726-IMW65R027M1HXKSA

NRND

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$14.47

$8.79

$7.85

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

47 A

34 mOhms

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5.7 V

62 nC

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+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $10.02
465En existencias
NRND

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IMW65R048M1HXKSA1

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726-IMW65R048M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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465En existencias

$10.02

$5.90

$4.99

$4.85

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $16.71
480Se espera el 18/06/2026

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IMW120R030M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R030M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

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480Se espera el 18/06/2026

$16.71

$10.53

$9.74

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

40 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $7.61
375En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R140M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R140M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

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375En existencias

$7.61

$4.67

$3.92

$3.64

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

19 A

182 mOhms

- 7 V, + 23 V

3.5 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R350M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $6.36
417En existencias
480En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R350M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R350M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

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480En pedido

$6.36

$3.61

$3.01

$2.66

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

455 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $11.27
65En existencias
960Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMZ120R060M1HXKSA1

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726-IMZ120R060M1HXKS

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960Se espera el 3/09/2026

$11.27

$7.28

$6.02

$5.66

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

78 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R090M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $9.89
200En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMZ120R090M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R090M1HXKS

Infineon Technologies

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200En existencias

$9.89

$6.32

$5.17

$4.59

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

26 A

117 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

115 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R220M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $7.93
43En existencias
1,920En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMZ120R220M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R220M1HXKS

Infineon Technologies

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1,920En pedido

$7.93

$4.94

$4.05

$3.54

$3.41

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

13 A

220 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $7.10
342En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R107M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R107M1HXKSA

NRND

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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342En existencias

$7.10

$4.06

$3.40

$3.05

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $14.81
18En existencias
1,200En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R027M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R027M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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1,200En pedido

$14.81

$10.30

$8.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

59 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $10.25
113En existencias
240Se espera el 31/12/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R048M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R048M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

113En existencias

240Se espera el 31/12/2026

$10.25

$6.68

$5.32

$5.00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R1K0M1XTMA1
Infineon Technologies
1: $5.45
11,000Se espera el 10/06/2027

N.º de artículo del Fabricante
IMBF170R1K0M1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBF170R1K0M1XTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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Hoja de datos

11,000Se espera el 10/06/2027

Cinta cortada

$5.45

$3.55

$2.60

$2.29

Envase tipo carrete

$2.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

5.2 A

1 Ohms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

34 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
45 mOhms
64 mOhms
78 mOhms
83 mOhms
94 mOhms
117 mOhms
125 mOhms
142 mOhms
182 mOhms
189 mOhms
220 mOhms
289 mOhms
294 mOhms
350 mOhms
450 mOhms
455 mOhms
468 mOhms