4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 105A N-CH SIC
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 750V 51A N-CH SIC
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2,010En existencias
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 75A N-CH SIC
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1,145En existencias
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
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526En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 34A N-CH SIC
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321En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 34A N-CH SIC
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810En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 40A N-CH SIC
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670En existencias
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
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554En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
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673En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 750V 31A N-CH SIC
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301En existencias
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: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
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226En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
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718En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3 N-Channel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 100V 33A P CHAN
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1,047En existencias
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: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT HSOP-8 P-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 750V 98A N-CH SIC
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240En existencias
1,000En pedido
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 56A N-CH SIC
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504En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 750V 31A N-CH SIC
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1,996En existencias
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: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
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1,488En existencias
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: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.0A/3.5A Dual Nch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET
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1,828En existencias
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel, P-Channel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.5A/2.5A Dual Nch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET
Hoja de datos
2,870En existencias
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel, P-Channel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -2.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
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34En existencias
3,000Se espera el 2/09/2026
Min.: 1
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-457T-6 P-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 105A N-CH SIC
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450Se espera el 11/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel