Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
BSZ075N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
61,571 En existencias
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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2EDL05N06PFXUMA1
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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2EDL05N06PJXUMA1
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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
1,853 En existencias
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Microcontroladores ARM - MCU XMC4000
XMC4800F144K1536AAXQMA1
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Microcontroladores ARM - MCU XMC4000
358 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
BSC098N10NS5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
21,597 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS5 power MOSFET 100 V in a PQFN 3x3
BSZ097N10NS5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS5 power MOSFET 100 V in a PQFN 3x3
11,110 En existencias
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Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
6EDL04N02PR
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N.º de artículo de Mouser 726-6EDL04N02PR
Infineon Technologies
Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
3,734 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100VPower transistor OptiMOS 5
BSC035N10NS5ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100VPower transistor OptiMOS 5
14,945 En existencias
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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2EDL05N06PF
Infineon Technologies
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$1.23
499 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-2EDL05N06PF
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
499 En existencias
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Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
6EDL04N02PRXUMA1
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3,000 Se espera el 20/08/2026
N.º de artículo de Mouser 726-6EDL04N02PRXUMA1
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Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
1,571 En existencias
3,000 Se espera el 20/08/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
BSC026N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
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$4.58
4,640 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC026N08NS5ATMA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
4,640 En existencias
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
BSC040N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.14
5,022 En existencias
5,000 Se espera el 26/05/2027
N.º de artículo de Mouser 726-BSC040N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
5,022 En existencias
5,000 Se espera el 26/05/2027
1
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC057N08NS3GATMA1
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1:
$3.06
2,171 En existencias
5,000 Se espera el 11/02/2027
N.º de artículo de Mouser 726-BSC057N08NS3GATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
2,171 En existencias
5,000 Se espera el 11/02/2027
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1
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10
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1,000
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5,000
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5,000
$0.957
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
BSC098N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.17
25,290 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC098N10NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
25,290 En existencias
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1
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10
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5,000
$0.601
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
BSZ097N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.51
2,627 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ097N10NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
2,627 En existencias
Embalaje alternativo
1
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$0.74
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Min.: 1 Mult.: 1
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
BSZ150N10LS3 G
Infineon Technologies
1:
$2.28
4,562 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ150N10LS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
4,562 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.28
10
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$0.79
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1,000
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2,500
$0.694
5,000
$0.632
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
BSZ150N10LS3GATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.50
12,759 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ150N10LS3GATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
12,759 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.50
10
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$1.07
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2,500
$0.727
5,000
$0.691
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC060N10NS3 G
Infineon Technologies
1:
$2.91
15,457 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-BSC060N10NS3G
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
15,457 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.91
10
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1,000
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5,000
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2,500
$0.939
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$0.86
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC060N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.01
11,274 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-BSC060N10NS3GATM
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
11,274 En existencias
Embalaje alternativo
1
$3.01
10
$1.94
100
$1.33
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$1.08
1,000
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
BSZ110N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.06
30,160 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ110N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
30,160 En pedido
Ver fechas
En pedido:
160 Se espera el 28/01/2027
15,000 Se espera el 18/02/2027
15,000 Se espera el 4/03/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
$2.06
10
$1.29
100
$0.852
500
$0.676
1,000
Ver
5,000
$0.528
1,000
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2,500
$0.549
5,000
$0.528
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC057N08NS3 G
Infineon Technologies
1:
$2.79
596 Se espera el 18/02/2027
N.º de artículo de Mouser 726-BSC057N08NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
596 Se espera el 18/02/2027
Embalaje alternativo
1
$2.79
10
$1.80
100
$1.24
500
$1.01
1,000
Ver
5,000
$0.875
1,000
$0.932
2,500
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5,000
$0.875
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
