N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFETs feature no tail current during switching, resulting in faster operation and reduced switching loss. Their low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. These ROHM SiC Power MOSFETs exhibit minimal ON-resistance increases and provides greater package miniaturization. This provides more energy savings than standard Si devices, in which the ON-resistance can more than double with increased temperature.

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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 55A N-CH SIC
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 40V 80A
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 650V 70A N-CH SIC
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 650V 39A N-CH SIC
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete Semiconductors, Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 80A
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete Semiconductors, Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 100V 57A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 59A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Pch -40V -80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -30V -78A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive AEC-Q101
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 80V 100A
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 80V 225A
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) R2P020N06HZG is an automotive grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. Ideal for Switching
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