Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

BSN20BKR

Name: Nexperia BSN20BKR
Brand: Nexperia
SKU: 771-BSN20BKR
Price: 0.26 USD
Availability: OutOfStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

771-BSN20BKR

Fabricante N.º:

BSN20BKR

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 60V .265A

Hoja de datos:

BSN20BKR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Nexperia BSN20BKR

Disponibilidad

Existencias:: 0

Aún puede comprar este producto que se encuentra pendiente.

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
En pedido:: 73,000

Se espera el 8/02/2027
Plazo de entrega de fábrica:: 10

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.26	$0.26
	$0.154	$1.54
	$0.146	$7.30
	$0.096	$9.60
	$0.071	$35.50
	$0.062	$62.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.051	$153.00
	$0.046	$276.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	265 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.8 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	600 mV
Qg - Carga de puerta:	490 pC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	402 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5.1 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8.4 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel Trench MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	12.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7.9 ns
Alias de las piezas n.º:	934068054215
Peso de la unidad:	8 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

BSN20 60V N-Channel Trench MOSFET

Nexperia BSN20 60V N-channel trench MOSFET is a logic-level compatible, fast switching MOSFET. The BSN20 is suitable for high-frequency applications with logic-level gate drive sources. Based on Trench MOSFET technology, this device is ideal for use in computing, communications, consumer, and industrial applications.