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NXVF6532M3TG01

Name: onsemi NXVF6532M3TG01
Brand: onsemi
SKU: 863-NXVF6532M3TG01
Price: 24.6 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NXVF6532M3TG01

Fabricante N.º:

NXVF6532M3TG01

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC SiC Power MOSFET Module 650V, 32mohm H-Bridge

Ciclo de vida:

Pedido especial de fábrica:

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Hoja de datos:

NXVF6532M3TG01 Hoja de datos

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	$24.60	$24.60
	$23.18	$231.80
100	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	APM-16
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	4 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	31 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	44 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, + 22 C
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	58 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	65.2 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	onsemi
Configuración:	Quad
Tiempo de caída:	9.2 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	12 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	6 ns
Serie:	NXVF6532M3TG01
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	4 N-Channel
Tipo:	Half Bridge
Tiempo de retardo de apagado típico:	33.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8.4 ns

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Hoja de datos

NXVF6532M3TG01 Hoja de datos

Códigos de cumplimiento

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: República de Corea
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET

onsemi NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET Module is designed for demanding power conversion applications in automotive and industrial environments. Built with advanced Silicon Carbide (SiC) technology, the onsemi NXVF6532M3TG01 delivers superior efficiency, fast switching, and robust thermal performance. The module integrates four 32mΩ SiC MOSFETs in an H-Bridge configuration, making the device ideal for use in onboard chargers (OBCs), DC-DC converters, and electric vehicle (EV) powertrain systems. Housed in a compact APM16 package with integrated temperature sensing, the component supports high power density and reliable thermal management. The NXVF6532M3TG01 is AEC-Q101/Q200 and AQG324 qualified, ensuring automotive-grade reliability and performance in harsh operating conditions.