Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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700V CoolMOS™ P7 MOSFETs

Infineon Technologies 700V CoolMOS™ P7 MOSFETs feature a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. The 700V are designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon. The latest 700V CoolMOS P7 are an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets like chargers, adapters, lighting, TVs and more. The new series provides all the benefits of a fast switching Superjunction MOSFET, combined with an excellent price/performance ratio and state of the art ease-of-use level. The technology meets highest efficiency standards and supports high power density, enabling customers going towards very slim designs.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R360P7SAUMA1
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700 V

12.5 A

300 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

16.4 nC

- 40 C

+ 150 C

59.5 W

Enhancement

CoolMOS

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IPAN70R600P7SXKSA1
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8.5 A

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- 30 V, 30 V

2.5 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

24.9 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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DPAK-3 (TO-252-3)

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700 V

8.5 A

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700 V

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700 V

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IPA70R600P7SXKSA1
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8.5 A

600 mOhms

- 16 V, 16 V

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10.5 nC

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+ 150 C

24.9 W

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CoolMOS

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IPD70R1K4P7SAUMA1
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IPD70R1K4P7SAUMA1

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Infineon Technologies

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DPAK-3 (TO-252-3)

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4 A

1.15 Ohms

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R750P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $1.97
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IPA80R750P7XKSA1

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726-IPA80R750P7XKSA1

Infineon Technologies

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

7 A

640 mOhms

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2.5 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R1K4P7SATMA1
Infineon Technologies
1: $0.82
7,759En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R1K4P7SATMA1

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726-IPN70R1K4P7SATMA

Infineon Technologies

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$0.192

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SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

700 V

4 A

1.15 Ohms

- 16 V, 16 V

2.5 V

4.7 nC

- 40 C

+ 150 C

6.2 W

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CoolMOS

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IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: $1.79
1,699En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPAN70R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R360P7SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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1,699En existencias

$1.79

$0.948

$0.77

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

12.5 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

16.4 nC

- 40 C

+ 150 C

26.5 W

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R600P7SATMA1
Infineon Technologies
1: $1.10
3,298En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R600P7SATMA1

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726-IPN70R600P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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3,298En existencias

Cinta cortada

$1.10

$0.69

$0.452

$0.349

Envase tipo carrete

$0.288

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8.5 A

490 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

6.9 W

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CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPLK70R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
5,000: $0.338
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPLK70R1K2P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPLK70R1K2P7ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

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$0.338

$0.315

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDFN-8

N-Channel

1 Channel

700 V

Enhancement

CoolMOS

Reel

700V CoolMOS™ P7 MOSFETs

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