FET SiC UJ4C/SC de 750 V en paquete D2PAK-7L
Los FET SiC UJ4C/SC de 750 V en paquete D2PAK-7L de UnitedSiC / Qorvo están disponibles en múltiples opciones de resistencia de encendido de 9 mΩ a 60 mΩ. Al aprovechar una exclusiva tecnología Cascode de FET SiC, en la que un JFET SiC normalmente activado está incluido con un MOSFET de silicio para producir un FET SiC normalmente inactivo, estos dispositivos ofrecen un mejor factor de mérito de RDS X Area de su clase, lo que resulta en las pérdidas de conducción más bajas en una pequeña matriz. El paquete D2PAK-7L proporciona una inductancia reducida mediante circuitos compactos de conexión interna que, junto con la conexión de fuente Kelvin incluida, resulta en una baja pérdida de conmutación, lo que permite una operación a mayor frecuencia y una mejor densidad de potencia del sistema. Cinco conexiones de fuente paralelas en forma de ala de gaviota permiten una baja inductancia y un alto consumo de corriente. La adhesión de matrices mediante sintetizado de plata resulta en una resistencia térmica muy baja para una máxima extracción de calor en las placas de circuito impreso (PCB) estándar y los sustratos IMS con refrigeración líquida. Estos FET SiC ofrecen un diodo de cuerpo compacto, una carga de puerta ultrabaja y un voltaje umbral de 4.8 V que permite una conducción de 0 V a 15 V. Las características de control de puertas estándar de los FET los convierten en reemplazos ideales para IGBT de Si, FET de Si, MOSFET SiC o dispositivos de máxima unión de Si.
